Nd:YVO4 -ඩයෝඩය පොම්ප කරන ලද ඝණ තත්වයේ ලේසර්
නිෂ්පාදනය විස්තරය
Nd:YVO4 හට Nd:YVO4 සහ සංඛ්‍යාත දෙගුණ කිරීමේ ස්ඵටික සැලසුම් සහිත බලගතු සහ ස්ථාවර IR, කොළ, නිල් ලේසර් නිපදවිය හැක.වඩාත් සංයුක්ත නිර්මාණය සහ තනි-කල්පවත්නා-ප්‍රකාර ප්‍රතිදානය අවශ්‍ය වන යෙදුම් සඳහා, Nd:YVO4 අනෙකුත් බහුලව භාවිතා වන ලේසර් ස්ඵටික වලට වඩා එහි විශේෂ වාසි පෙන්වයි.
Nd හි වාසි:YVO4
● අඩු ලේසිං එළිපත්ත සහ ඉහළ බෑවුම් කාර්යක්ෂමතාව
● lasing තරංග ආයාමයේදී විශාල උත්තේජක විමෝචන හරස්කඩ
● පුළුල් පොම්ප කරන තරංග ආයාම කලාප පළලක් හරහා ඉහළ අවශෝෂණය
● දෘෂ්‍යව ඒකීය සහ විශාල ද්විවර්තන ධ්රැවීකරණය වූ ලේසර් විමෝචනය කරයි
● පොම්ප තරංග ආයාමය මත අඩු යැපීම සහ තනි මාදිලියේ ප්‍රතිදානයට නැඹුරු වීම
මූලික ගුණාංග
| පරමාණුක ඝනත්වය | ~1.37x1020 පරමාණු/cm2 |
| ස්ඵටික ව්යුහය | Zircon Tetragonal, අභ්‍යවකාශ කණ්ඩායම D4h, a=b=7.118, c=6.293 |
| ඝනත්වය | 4.22 g/cm2 |
| Mohs දෘඪතාව | වීදුරු වැනි, 4.6 ~ 5 |
| තාප ප්රසාරණය සංගුණකය | αa=4.43x10-6/K,αc=11.37x10-6/K |
| ද්රවාංකය | 1810 ± 25℃ |
| Lasing තරංග ආයාම | 914nm, 1064 nm, 1342 nm |
| තාප ඔප්ටිකල් සංගුණකය | dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K |
| උත්තේජිත විමෝචනය හරස් කඩ | 25.0x10-19 cm2 , @1064 nm |
| ප්රතිදීප්ත ජීවිත කාලය | 90 ms (2 atm% Nd මාත්‍රණය සඳහා 50 ms පමණ) @ 808 nm |
| අවශෝෂණ සංගුණකය | 31.4 cm-1 @ 808 nm |
| අවශෝෂණ දිග | 0.32 mm @ 808 nm |
| ආවේණික පාඩුව | අඩු 0.1% cm-1 , @1064 nm |
| කලාප පළල ලබා ගන්න | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| ධ්රැවීකරණය කරන ලද ලේසර් විමෝචනය | දෘෂ්ටි අක්ෂයට සමාන්තරව (c-අක්ෂය) |
| ඩයෝඩය පොම්ප කරන ලදී ඔප්ටිකල් සිට ඔප්ටිකල් කාර්යක්ෂමතාව | > 60% |
| Sellmeier සමීකරණය (පිරිසිදු YVO4 ස්ඵටික සඳහා) | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
තාක්ෂණික පරාමිතීන්
| Nd මාත්‍රාව සාන්ද්‍රණය | 0.2 ~ 3 atm% |
| මාත්‍රාව ඉවසීම | සාන්ද්රණයෙන් 10% ක් ඇතුළත |
| දිග | 0.02 ~ 20 මි.මී |
| ආලේපන පිරිවිතර | AR @ 1064nm, R< 0.1% & HT @ 808nm, T>95% |
| HR @ 1064nm, R> 99.8% සහ HT@ 808nm, T> 9% | |
| HR @ 1064nm, R> 99.8%, HR @ 532 nm, R> 99% සහ HT @ 808 nm, T> 95% | |
| දිශානතිය | a-cut ස්ඵටික දිශාව (+/-5℃) |
| මාන ඉවසීම | +/-0.1mm(සාමාන්‍ය), ඉහළ නිරවද්‍යතාවය +/-0.005mm ඉල්ලීම මත ලබා ගත හැක. |
| තරංග ඉදිරිපස විකෘති කිරීම | 633nm හි <λ/8 |
| මතුපිට ගුණාත්මක | MIL-O-1380A අනුව 20/10 Scratch/Dig වඩා හොඳයි |
| සමාන්තරවාදය | < චාප තත්පර 10 |
ඔබගේ පණිවිඩය මෙහි ලියා අප වෙත එවන්න
